據韓國媒體“亞洲經濟”報道，韓國科信部發(fā)布了韓美聯合研究團隊成功研發(fā)可控量子物質電、磁、光傳導性質技術的消息。研究成果發(fā)布在《Nature》上。
受到實驗條件和設計思維限制，為避免強光（>109伏/米）引發(fā)發(fā)熱或損傷，該領域研究普遍使用弱光（107伏/米）實驗，而該研究項目首次嘗試利用強光對具有蜂窩形狀的平面結構的二維反鐵磁材料（MnPS3）進行技術性投射，使該物質的光學性質發(fā)生很大變化，并通過計算確認設計理論和實驗數據一致。作為量子技術基礎性研究，該技術為光電子器件替代硅基半導體芯片提供了技術支持，根本上解決半導體芯片發(fā)熱問題。
