新型芯片可用于開(kāi)發(fā)下一代光子電路
發(fā)布時(shí)間：2021.12.30 閱讀次數(shù)：
《科學(xué)俄羅斯》電子期刊發(fā)文稱，莫斯科電子技術(shù)學(xué)院和莫斯科國(guó)立師范大學(xué)共同研發(fā)出一種用于開(kāi)發(fā)下一代光子電路的芯片。有關(guān)專家表示，這項(xiàng)關(guān)于制造非易失性可調(diào)納米光子芯片的技術(shù)已經(jīng)能夠用于微電子生產(chǎn)，無(wú)需額外升級(jí)。
莫斯科電子技術(shù)學(xué)院未來(lái)材料與技術(shù)研究所高級(jí)研究員彼得·拉扎連科說(shuō)：“在我們發(fā)明的芯片中，氮化硅微環(huán)諧振器的表面局部覆蓋有GST薄膜。GST涂層的相態(tài)變化及其吸收會(huì)導(dǎo)致通過(guò)波導(dǎo)的光學(xué)信號(hào)發(fā)生變化。相態(tài)轉(zhuǎn)換可由通過(guò)波導(dǎo)的激光脈沖觸發(fā)。相態(tài)轉(zhuǎn)換在10毫微秒內(nèi)發(fā)生，而GST薄膜是控制電信設(shè)備中使用的薄膜波導(dǎo)元件信號(hào)的最佳材料之一?！?/span>
